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纳米电阻器:控制材料氧原子含量调节阻值

文章来源:新浪科技 作者:【未知】 点击:次 时间:2015/1/16 8:40:23 转载:
此图是用电子显微镜拍摄,显示了通过量子相位滑移纳米丝链接的两个小型氧化铬电阻器的串联电路。(纳米丝太微小以至于在此尺度无法显示) 图片来源:James Sagar, Nick Constantino, Chris Nash, Jon Fenton and Paul Warburton/ 英国伦敦大学学院  此图是用电子显微镜拍摄,显示了通过量子相位滑移纳米丝链接的两个小型氧化铬电阻器的串联电路。(纳米丝太微小以至于在此尺度无法显示)    图片来源:James Sagar, Nick Constantino, Chris Nash, Jon Fenton and Paul Warburton/英国伦敦大学学院
 
纳米电阻器:控制材料氧原子含量调节阻值 《应用物理杂志》的一篇新研究表明,新型氧化铬薄层电阻的电子特性可以通过控制材料氧原子的成分含量来调节。 2014年12月9日华盛顿 伦敦纳米技术中心的研究者们最近为量子电路制作出了一种新型小巧的高阻电阻器。这种电阻器推动了量子器材在计算和基础物理研究领域方面的应用。研究者们在美国物理联合会出版的《应用物理杂志》的一篇文章中描述了这种薄膜电阻器。 这种电阻器的应用之一就是可使用于量子相位滑移电路(QPS)中。这种电路是由极窄细的超导材料丝制成,这种超导丝可以利用一种基本的,反直觉的量子特性叫做量子隧穿效应,使磁通量在超导丝中来回移动并突破势垒——这一点是在我们常规的经典力学的世界中不可企及的。
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